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深圳市旺达康科技有限公司 
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| 供应磷化铟InP多晶体 |
磷化铟
沥青光泽的深灰色晶体
英文名称：Indium phosphide
CAS号：22398-80-7
分子式：InP
分子量：145.791761
性状：沥青光泽的深灰色晶体。
熔点：1070℃。闪锌矿结构，常温下带宽（Eg=1.35 eV）。熔点下离解压为2.75MPa。
溶解性：极微溶于无机酸。
介电常数：10.8
电子迁移率：4600cm2/(V·s)
空穴迁移率：150cm2/(V·s)
制备：具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。
用作半导体材料，用于光纤通信技术。
磷化铟晶体是继硅和砷化镓之后又一重要的ⅲ－v族化合物半导体材料，但是目前半绝缘类型inp衬底的生产质量急需改善和提高。研究人员告诉记者，原生半绝缘inp是通过在单晶生长过程中掺入铁原子来制备的。为了达到半绝缘化的目的，铁原子的掺杂浓度较高，高浓度的铁很可能会随着外延及器件工艺过程发生扩散。而且由于铁在磷化铟中的分凝系数很小，inp单晶锭沿生长轴方向表现出明显的掺杂梯度，顶部和底部的铁浓度相差一个数量级以上，由其切割成的单晶片的一致性和均匀性就很难保证。就切割成的单个inp晶片而言，由于受生长时的固液界面的影响，铁原子从晶片中心向外呈同心圆状分布，这显然也不能满足一些器件应用的需要。所有这些因素是目前制约半绝缘磷化铟单晶片生产质量的*大障碍。
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